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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.9
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2618
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
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