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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
38
Velocità di lettura, GB/s
12.9
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
1493
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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