RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
58
Intorno 52% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
58
Velocità di lettura, GB/s
12.9
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
1998
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link