RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 58
    Около 52% меньшая задержка
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    18.5 left arrow 12.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.5 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 58
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.9 left arrow 18.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 9.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2112 left arrow 1998

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
модули RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
модули RAM