RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
12.9
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3963
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link