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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
17.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3963
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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