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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
12.9
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2978
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
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