RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2978
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link