RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
63
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
35
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2613
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link