RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
63
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
35
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2613
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link