RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
52
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
11.9
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
1875
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link