RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 33
    Около 27% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 12.0
    Среднее значение в тестах
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.2 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 12.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3116

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
модули RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
модули RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
модули RAM