RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3480
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link