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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
63
Intorno 56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
63
Velocità di lettura, GB/s
12.9
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2061
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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