RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
63
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2061
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link