RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Confronto
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB vs Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
46
Intorno 9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
46
Velocità di lettura, GB/s
13.6
12.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2276
2103
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link