RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,107.0
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
58
Intorno -93% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
30
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
3458
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link