RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2907
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Segnala un bug
×
Bug description
Source link