RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,107.0
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
58
Intorno -76% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
33
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
2941
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link