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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,107.0
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
58
Intorno -152% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
23
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
3810
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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