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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

总分
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

总分
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 20.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,107.0 left arrow 16.5
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 58
    左右 -152% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    4,025.3 left arrow 20.4
  • 写入速度，GB/s
    2,107.0 left arrow 16.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    670 left arrow 3810

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较

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Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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内存RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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