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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Confronto
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
73
Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
2,107.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
73
Velocità di lettura, GB/s
4,025.3
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,107.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
670
1724
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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