Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Средняя оценка

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

58 73

Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 15.1

Среднее значение в тестах

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

7.9 2,107.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 73
Скорость чтения, Гб/сек

4,025.3 15.1
Скорость записи, Гб/сек

2,107.0 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

670 1724

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB

Kingston 9905624-004.A00G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

A-DATA Technology DQVE1B16 2GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB

Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

модули RAM

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 9905668-002.A00G 8GB

Kingston 9905668-002.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

модули RAM