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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Confronto
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17500
17000
Intorno 1.03% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
52
Velocità di lettura, GB/s
10.2
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17500
17000
Other
Descrizione
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2319
2472
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
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Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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