RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
35
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
14.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
21
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2276
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Confronto tra le RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link