RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
122
Intorno 78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
5.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
122
Velocità di lettura, GB/s
11.9
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
5.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
1411
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link