RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
122
Около 78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
122
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
1411
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link