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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
122
Por volta de 78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.9
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
5.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
122
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
5.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
1411
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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