RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
59
Intorno -69% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
35
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3336
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link