RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3336
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link