RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
35
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2276
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link