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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Confronto
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
49
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
49
Velocità di lettura, GB/s
16.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2876
2534
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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