RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Confronto
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
49
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
49
Velocità di lettura, GB/s
16.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2876
2534
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link