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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
49
读取速度,GB/s
16.7
15.8
写入速度,GB/s
10.9
11.0
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2876
2534
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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