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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.6
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
15.6
22.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
4052
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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