Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

34 45

Intorno 24% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

10600 1900

Intorno 5.58% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1682 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns