Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

34 45

Por volta de 24% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

10600 1900

Por volta de 5.58% maior largura de banda

Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

11.7 8.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.4 5.8

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1682 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns