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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
45
周辺 24% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
10600
1900
周辺 5.58% 高帯域
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
11.7
8.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
5.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
45
読み出し速度、GB/s
8.6
11.7
書き込み速度、GB/秒
5.8
8.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
1900
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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