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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    34 left arrow 45
    En 24% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 1900
    En 5.58% mayor ancho de banda
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 8.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 5.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    34 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.6 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.8 left arrow 8.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 1900
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1682 left arrow 2387

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