RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
51
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
24
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3230
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QHY-YK0 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link