RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2902
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link