RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2902
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link