RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
51
Intorno -46% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
35
Velocità di lettura, GB/s
15.6
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2327
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link