Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Punteggio complessivo
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 42
    Intorno 31% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.3 left arrow 9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 5.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 42
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.0 left arrow 13.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.7 left arrow 9.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1274 left arrow 2427
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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