RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
51
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
32
Velocità di lettura, GB/s
15.6
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3393
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link