RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3393
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link