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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
51
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
39
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2782
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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