RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
51
Intorno -19% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
43
Velocità di lettura, GB/s
15.6
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2615
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link