RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
51
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
43
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2615
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link