RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
51
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
15.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
32
Velocità di lettura, GB/s
15.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link