RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
15.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link